اثر هارتمن در نانو بلور فوتونی یک بعدی با در نظر گرفتن لایه نقص
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک
- نویسنده بهناز اصفهلانی
- استاد راهنما مصطفی صحرایی جعفر پورصمد
- سال انتشار 1391
چکیده
در این پایان نامه، اثر هارتمن در ساختار نانو بلور فوتونی یک بعدی مورد مطالعه قرار می گیرد . با استفاده از روش ماتریس انتقال و روش فاز ایستا، زمان فازی مربوط به پالس عبوری از درون نانو بلور فوتونی یک بعدی بررسی شده و نشان داده می شود اگر مواد تشکیل دهنده ی نانو کریستال فوتونی یک بعدی دارای ضریب شکست مثبت باشد اثر هارتمن مثبت می شود که به سرعت فرانوری می انجا مد. همچنین با قرار دادن لایه نقص در این ساختار به مطالعه تاثیر لایه نقص بر نحوه ی انتشار پالس در نانو بلور فوتونی یک بعدی می پردازیم ، ملاحظه خواهیم کرد که میتوان با تغییر برخی پارامتر ها مربوط به لایه ی نقص، سرعت ا نتشار پالس را از فراسرعت به فروسرعت و بالعکس تغییر دهیم.
منابع مشابه
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملتنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن
امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...
متن کاملخواص گاف باند و مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص پلاسمای مغناطیده
در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.
تأثیر اتلاف روی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی
در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...
طیف تراگسیل بلور فوتونی یک بعدی با لایه نقص داکت گاوسی
بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج ال...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023